AlN陶瓷相关论文
近年来,非氧化物陶瓷在金化工、机械密封、发热元件等诸多领域有着广泛的应用。特别是其中的Al N、B4C和Si C,在集成电路、航空、......
为了研究磷酸对AlN陶瓷烧结的影响,利用磷酸对AlN粉末进行酸洗处理制备了具有较高抗水解能力的AlN粉末,在碳管炉氮气气氛下进行陶......
AlN陶瓷热导率高且综合性能优异,可作为半导体基板材料使用,并且在诸多方面拥有极大的应用前景。但AlN难以烧结致密,高致密度是获......
微电子信息技术、大规模集成电路（LSI）、多芯片组件（MCM）和微机电系统（MENS）等技术的迅速发展对电子整机的要求越来越高,越来越迫切,促使......
现代电子技术正处于快速发展时期,微电子及电力电子器件朝着小型化、集成化、高功率密度、高可靠性等的方向发展,对电子器件散热能......
AlN（氮化铝）陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料、耐热材料等多个领域都有广泛的应用。市......
钎焊是陶瓷材料与自身或与金属、半导体等连接的最主要方法,由于金属熔液难以润湿陶瓷,传统钎焊方法通过在陶瓷钎焊面形成可被金属......
为了得到高热导、高结合强度的大功率LED散热基板,利用沉降法在氮化铝陶瓷基板表面快速覆钨,并在室温下通过激光扫描实现钨在氮化......
高导热、可加工AlN/BN复相陶瓷是一种极具应用前景的新型复合材料，可作为微电子领域、微波传输设备以及高温腐蚀环境中应用的理想材......
通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X......
本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为1......
以Al,AlN粉为原料,采用反应烧结技术制备AlN陶瓷.Al粉含量、Al粉粒径、成型压力和升温制度是RBAN的重要工艺参数,优化工艺参数可制......
探索了AlN陶瓷在不同烧结气氛、湿气及不同温度下的氧化行为和机理.结果表明:湿气的存在显著地影响了AlN陶瓷的氧化行为,1225℃,Al......
以自蔓延高温合成方法(SHS)制备的并经抗水化处理的AlN粉体为原料,研究了埋粉条件对添加Sm2O3的AlN陶瓷显微结构和导热性能的影响......
本文用透射电镜（ＴＥＭ）的衍射技术和高分辨电镜（ＨＲＴＥＭ）研究了用原位固－气－液三态反应法制备的原位ＴｉＣ－ＡｌＮ／Ａｌ复合材料中ＡｌＮ颗粒与Ａｌ界面的微观组织结构，发现ＡｌＮ／Ａｌ界面两侧......
采用 SHS工艺 ,在 1 0 0 MPa的高压氮气下 ,制备了具有较高致密度的 Al N/Y2 O3陶瓷。结果显示 ,Al- N2 - Y2 O3体系的 SHS过程中 ......
利用国产六面顶压机在5.0GPa,1300～1800℃条件下实现了以La2O3为助剂的AlN陶瓷体的高压低温烧结.用XRD、SEM、微区拉曼光谱对AlN高......
AlN自扩散系数小,烧结非常困难。通过使用超细粉、热压或热等静压烧结引入助烧剂获得致密的高性能AlN陶瓷。引入助烧剂适用于流延......
对氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构进行了研究，对比了涂TiH2后用Ag-Cu焊接和直接用Ti-Ag-Cu合金箔焊接两种方法的焊接......
首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN—AlN基复相陶......
随着微电子技术的快速发展，混合集成电路(HIC)和多芯片组件(McM)方面对陶瓷封装材料提出了更高的要求。氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的......
本文研究了掺杂不同质量分数的Y2O3的AIN陶瓷在超高压状态下烧结的物相组成和微观结构.研究表明,Y2O3是有效的低温烧结助剂,在低温......
本文分别以Y2O3、CaO、Dy2O3、Nd2O2与Sm2O3为助烧剂，利用微波烧结法制备了AlN陶瓷，并分析了助烧剂添加量对陶瓷样品微结构的影响。......
用CaF2和YF3做添加剂,在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的AlN陶瓷,并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成、微结构以及......
用国产六面顶压机在5．0GPa，1300℃～1800℃条件下实现了以Y2O3为烧结助剂的AlN陶瓷体的高压烧结。用XRD对AlN高压烧结体的相组成进行了......
采用两组复合烧结助剂Y2O3-CaF2,Y2O3-CaF2-Li2CO3在1600℃烧结AlN陶瓷,对AlN陶瓷烧结密度,热性能和电性能进行了测试,并分析了AlN......
基于AlN陶瓷的导热机理,从显微结构、材料组成、工艺因素三方面来对AlN热导率的影响进行了探讨.AlN高热导率取决于AlN晶间良好接触......
AlN陶瓷具有热导率高、与Si热膨胀系数相匹配、化学稳定性好等特点,在电子信息、能源化工、交通运输等领域具有广阔的应用前景,已......
本文探讨了影响添加ＣａＦ２－Ｙ２Ｏ３的ＡｌＮ陶瓷热导率的显微结构因素，利用ＸＲＤ、ＸＰＳ研究了伴随烧结过程的晶格畸变规律，确定了氧及杂质碳在ＡｌＮ晶格中的扩散行为，从而......
使用CaF2,Y2O3和Li2CO3做添加剂,在1650℃的低温下制备出热导率高于170W/m@K的AlN陶瓷,通过使用SEM,TEM和XRD研究了AlN陶瓷在烧结......
采用Ag-Cu-Ti和Ag-Cu-In-Ti两种活性钎料箔带,分别在860℃/10min和760℃/10min两种规范下对AlN与可伐合金(4J29)进行了真空钎焊连......
为了提高臭氧发生器的臭氧产量,要求臭氧发生器用的陶瓷基板材料具有较高的介电性能和热导率.本文研究了掺杂成分CaO、Y2O3、YF3、......
通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而......
氮化铝（AlN）陶瓷具有高的热导率、低的热膨胀系数、高的电阻率、良好的力学性能等特性,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材......
本文研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的晶界相及其产生过程和除氧机制;分析了两种烧结工艺烧制的AlN陶瓷的晶界成份;......
相控阵雷达的工作距离和性能往往与T/R组件的功率成正比,而大功率的T/R组件会相应引发热量散失和热失配问题。本文以高热导、低膨......
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的......
研究了退火时间和碳对低温烧结AlN陶瓷的介电性能,特别是介电常数的影响.结果表明,退火时间通过改变氧在AlN晶格中的扩散过程对介......
在流动N2保护下,对高压烧结制备的AlN(Y2O3)陶瓷进行了热处理,研究了热处理对AlN陶瓷显微组织及导热性能的影响。结果表明:在970℃......
热处理是AlN陶瓷调整结构、改善性能的有效手段.利用国产六面顶压机,在5.0GPa高压条件下,对高压烧结制备的AlN(Y2O3)陶瓷进行了热......
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介绍一种由高热导率AlN陶瓷和金属W共烧制备低温AlN陶瓷基片的排胶技术．研究了排胶过程中残余碳对AlN陶瓷基片相组成、烧结特性和微......
本文对通过脉冲式YAG激光器在AlN陶瓷表面制备铜基金属覆层工艺进行优化,通过调整激光熔覆工艺参数,并进行熔覆前预热和熔覆后缓冷......
本文采用放电等离子烧结（SPS）方法制备了AlN陶瓷及BN/AlN复相陶瓷。系统研究了烧结助剂及烧结工艺对AlN陶瓷及BN/AlN复相陶瓷的显微......
